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Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
25 C
80
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
100
10
o
o
2. T C = 25 C
1
0.5
0.1
1
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
10
1
4
6
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 ? s Pulse Test
8
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.8
0.7
0.6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
25 C
0.5
10
o
o
0.4
V GS = 10V
0.3
V GS = 20V
1
*Note: T J = 25 C
0.2
0.1
0
25
50
o
75
0.2
0.0
0.5
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
1.0
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
4500
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
3000
C iss
4
1500
2
C rss
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
50
0
0
10
*Note: I D = 20A
20 30 40 50
Q g , Total Gate Charge [nC]
60
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA20N50F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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